Помилки та фальсифікації в наукових дослідженнях
Субота, 2019-04-20, 08:27
Головне меню

Пошук

Корисні посилання
  • Комиссия по борьбе с лженаукой и фальсифика- цией научных исследований при Президиуме РАН
  • Диссернет
  • Троицкий вариант
  • Бюллетень "В защиту науки"
  • Антиплагиат.ru
  • Плагиат: Общественная доска позора
  • dissercomp.ru - Сравнение диссертаций и поиск плагиата

  • Календар
    «  Квітень 2019  »
    ПнВтСрЧтПтСбНд
    1234567
    891011121314
    15161718192021
    22232425262728
    2930

    Статистика

    Онлайн всього: 1
    Гостей: 1
    Користувачів: 0

    Архів записів

    Головна » 2019 » Квітень » 7 » Букет порушень у докторській дисертації Яни Сичікової
    19:51
    Букет порушень у докторській дисертації Яни Сичікової

    Фальсифікація, фабрикація, самоплагіат і плагіат у докторській дисертації Яни Сичікової

    22 березня 2019 року в Інституті метрології Міністерства економічного розвитку і торгівлі України (м. Харків) відбувся захист докторської дисертації Сичікової Яни Олександрівни на тему «Науково-методологічні засади оцінювання якості й властивостей наноструктур на поверхні напівпровідників» зі спеціальності 05.01.02 – стандартизація, сертифікація та метрологічне забезпечення. Дисертацію можна завантажити тут, а автореферат – тут.

    Науковий консультант – доктор педагогічних наук Ігор Тимофійович Богданов, ректор Бердянського державного педагогічного університету.

     

    Дисертанткою грубо порушено статтю 42 Про академічну доброчесність Закону України «Про освіту». 14 наукових статей, які відображають основні результати її докторської, повторюють результати кандидатської дисертації, а в самому тексті скопійовано 82 сторінки (самоплагіат) з кандидатської Сичікової Я.О. «Морфологічні властивості наноструктур, сформованих на поверхні монокристалічного фосфіду індію методом електрохімічного травлення» (науковий керівник – доктор фізико-математичних наук Кідалов В. В.).

    Навіть науковий консультант, доктор педагогічних наук Богданов І.Т. є автором статті, в якій фальсифіковані наукові результати, та співавтором статті, в якій сфабриковані наукові результати.

    Детальний аналіз порушень можна завантажити тут, а зараз ми звернемо увагу на найяскравіші приклади академічної недоброчесності.

     

    Фальсифікація

    У розділі дисертації "Праці, в яких опубліковані основні результати дисертації" під номером 18 розміщена стаття Suchikova Y. Developing ways of improving efficiency of the photovoltaic converters by nanostructuring of silicon wafers / Y. Suchikova // Technology audit and production reserves. – 2016. – № 6/1(32). – р. 16 – 20, в якій на рис. 2 представлена морфологія поруватого кремнію, тоді як у кандидатській дисертації Я. Сичікової (завантажити можна тут) у розділі 3.4 «Вплив аніону електроліту на товщину та морфологію поруватого фосфіду індію, створеного на поверхні високолегованого n-InP» (весь розділ присвячено саме поруватому InP) на рис 3.16 бачимо те саме зображення, але це морфологія поруватого фосфіду індію.

    Там же під номером 22 розміщена стаття Bogdanov I. The improvement environmental safety of nanomaterials by means of environmental assessment / I. Bogdanov, V. Vambol, Y. Suchikova // Technogenic and ecological safety – 2017. – №1 – P. 44 – 49, в якій на рис.8 зображена плівка GaN, сформована на поруватому GaAs, а в кандидатській дисертації Сичікової у розділі 3.4 «Вплив аніону електроліту  на товщину та морфологію поруватого фосфіду індію, створеного на поверхні високолегованого n-InP» (весь розділ присвячено саме поруватому InP) на рис 3.11 представлене те саме зображення (тільки з іншим коефіцієнтом збільшення і трохи скошене), але це морфологія поруватого фосфіду індію.

    Доказ що це фальсифікація:

    Якщо на поруватий шоколад покласти шар сира, а потім розрізати ножем, то ми побачимо, що шар сира «висить» на поруватому шоколаді. А на рис. 8 немає плівки GaN (шару сира). Ось приклад, як повинна бути зображена морфологія розколу плівки на поруватій підкладці за результатами скануючої електронної мікроскопії (зображення демонструє, що плівка практично «висить» над поруватою підкладкою):

    Тобто науковий консультант докторської дисертації Сичікової Я.О., доктор педагогічних наук Богданов І.Т. і сама дисертантка є авторами статті, в якій на примітивному рівні фальсифіковані наукові результати.

     

    САМОПЛАГІАТ

    Докторант оприлюднює раніше опубліковані наукові результати (82 сторінки з кандидатської) як нові наукові результати і використовує їх для докторської. Як це можливо, що публікації, які мають однаковий текст, відображають основні результати і кандидатської, і докторської дисертацій?

    У файлі, який можна завантажити на нашому сайті тут, можна детально ознайомитися з тим, які саме тексти та рисунки з кандидатської були скопійовані (колонка ліворуч), та увійшли в нові статті (колонка праворуч), що використані тепер уже для докторський дисертації.

    Наведемо лише деякі характерні приклади (жовтим кольором показані ідентичні місця).

    Статья Suchikova Y. A. Synthesis of indium nitride epitaxial layers on a substrate of porous indium phosphide / Y. A. Suchikova // Journal of Nano- and Electronic Physics. – 2015. – Vol. 7, Is.3. – Р. 03017-1 – 03017-3 повторює результати кандидатської та представлена під №5 у розділі докторської дисертації «Праці, в яких опубліковані основні результати дисертації»:

    А ось стаття під №8: Suchikova Y. Analysis of the ways to provide ecological safety for the products of nanotechnologies throughout their life cycle / Y. Suchikova, S.Vambol, V. Vambol, N. Deyneko // Eastern-European Journal of Eenterprise Technologies. – 2017. – №. 1 (10). – P. 27–36. Вона також повторює текст кандидатської та представлена у розділі «Праці, в яких опубліковані основні результати дисертації»:

    Публікація №10 Suchikova Y. A. Sulfide passivation of indium phosphide porous surfaces / Y. A. Suchikova // Journal of Nano- and Electronic Physics. – 2017. Vol. 5, Is.4. – Р. 04001-1– 04001-4 теж повторює текст кандидатської і представлена у розділі «Праці, в яких опубліковані основні результати дисертації»:

    Усього 14 наукових статей (див. повний аналіз тут), які відображають основні результати докторської, повторюють результати кандидатської дисертації!

     

    Очевидним доказом самоплагіату є те, що при копіюванні з кандидатської дисертації рисунку 4.11 докторант забула поміняти номер рисунку в своїй статті для докторської Suchikova Y. Photoluminescence of porous indium phosphide due to quantum transitions in space-limited layers / Y. Suchikova // Computational nanotechnology. – 2015. – №1. – Р. 25 – 31. У статті після рисунку 3 має бути рис. 4, а з’явився рисунок за номером 4.11, який скопійований із кандидатської дисертації. Таким чином, нумерація рисунків в статті наступна: Рис.1, Рис.2, Рис.3, РИС. 4.11. Усі ці рисунки були скопійовані з кандидатської дисертації, але номер 4.11 авторка забула поміняти на номер 4.

     

    Навіть патент (Пат. 54800 Україна, МПК (2011.01)), отриманий у співавторстві (Кідалов В.В., Сукач Г.О. та ін.), і результати якого увійшли у кандидатську Сичікової Я.О., вона перетворює у статті для докторської, але вже з іншими співавторами:

    5. Suchikova Y. A. Synthesis of indium nitride epitaxial layers on a substrate of porous indium phosphide / Y. A. Suchikova // Journal of Nano- and Electronic Physics. – 2015. – Vol. 7, Is.3. – Р. 03017-1 - 03017-3.

    8. Suchikova Y. Analysis of the ways to provide ecological safety for the products of nanotechnologies throughout their life cycle / Y. Suchikova, S.Vambol, V. Vambol, N. Deyneko // Eastern-European Journal of Eenterprise Technologies. – 2017. – №. 1 (10). – P. 27–36.

    Тобто з одного патенту, опублікованого до захисту кандидатської, і результати якого надруковані в кандидатській, народжуються дві статті, але вже для докторської (самоплагіт самоплагіату!).

     

    Статью Morphology of porous n-InP (100) obtained by electrochemical etching in HCl solution / Y.A.Suchikova,V.V. Kidalov,G.A. Sukach // Functional Materials. – 2010. – Vol.17, №1.–P. 1 – 4, в якій опубліковані основні результати кандидатської, вона також частково перетворює у дві публікації для докторської:

    5. Suchikova Y. A. Synthesis of indium nitride epitaxial layers on a substrate of porous indium phosphide / Y. A. Suchikova // Journal of Nano- and Electronic Physics. – 2015. – Vol. 7, Is.3. – Р. 03017-1 - 03017-3.

    30. Porous Nanostructured InP: Preparation and Properties / Y. Suchikova, S. Onishchenko, V. Vambol, O. Kondratenko // 2017 IEEE International Young Scientists Forum on Applied Physics and Engineering (YSF–2017): Book of Papers (17 – 20 october 2017). – Lviv: Publ. Usikov Institute for Radiophysics and Electronics of NAS of Ukraine, 2017. – pp. 331 – 334.

     

    Деякі рисунки з кандидатської копіюються багаторазово в різних публікаціях для докторської (Самоплагіат самоплагіату самоплагіату = самоплагіат 3).

    Приклади:

    Рис. 4.8 з кандидатської копіюється в трьох публікаціях

    1. Suchikova Y. A. Sulfide passivation of indium phosphide porous surfaces / Y. A. Suchikova // Journal of Nano- and Electronic Physics. – 2017. Vol. 5, Is.4. – Р. 04001-1– 04001-4.

    Рис. 1 відповідає Рис. 4.8 з кандидатської.

    1. Photoluminescence of Porous Indium Phosphide: Evolution of Spectra During Air Storage / Y. Suchikova, I. Bogdanov, S. Onishchenko, S. Vambol, V. Vambol, O. Kondratenko // Proceedings of the 2017 IEEE 7th International Conference on Nanomaterials: Applications and Properties (NAP-2017) (10 – 15 Sept. 2015). – Sumy: Sumy State University, 2017. – pp. 138 – 141.

    Fig. 1 відповідає Рис. 4.8 з кандидатської.

    1. Suchikova Y. Photoluminescence of porous indium phosphide due to quantum transitions in space-limited layers / Y. Suchikova // Computational nanotechnology. – 2015. – №1. – Р. 25 – 31.

    Рис. 1 відповідає Рис. 4.8 з кандидатської.

    Рисунки та таблиці в докторській, які стосуються поруватого фосфіду індію та InN/porous InP (але все це розглянуто у кандидатській) неможливо розглядати в докторській.

    ФАБРИКАЦІЯ

    Результати, представлені в праці Vambol S.O. et al. Improvement of Electrochemical Supercapacitors by Using Nanostructured Semiconductors (J. Nano- and Electronic Physics, 2018, 10(4), 04020-1 – 04020-6, https://jnep.sumdu.edu.ua/en/full_article/2551) під номером 16 у розділі «Праці, в яких опубліковані основні результати дисертації», а також рис. 13а, рис. 13в в авторефераті та докторський, рис. 5.22, рис. 5.23 та висновок 6 до 5 розділу («У якості пасивуючого покриття було застосовано плівку графіту, яку наносили методом відпалу при температурі 350°С») і в Акті про впровадження у виробничий процес підприємства ТОВ «Автосоюз» вигадані (фабрікація), висновки суперечать законам відпалу, доказова база відсутня. Дослідження не виконувалося, замість зображення морфології плівки графіту представлена морфологія того самого поруватого InP, тільки з іншим коефіцієнтом збільшення на рис. 4 (на фотографії морфології ×5000) та рис. 6 (на фотографії морфології ×30000). Діаметр пор при напиленні плівки графіту мав зменшитися, а він не змінився, і морфологія поверхні мала змінитися, а вона не змінилася (див. додаток 3, з якого видно, як змініються морфологія і діаметр пор до та після напиленя плівки).

    У статті розглянута можливість отримання електрохімічних суперконденсаторів. Як відомо, для створення суперконденсатора на основі поруватих напівпровідників порувату поверхню необхідно покрити плівкою нанометрової товщини, яка огортає цю порувату поверхню та захищає її від дії кислот, при цьому форма пор повинна залишитись. Методом термічного відпалу, як пропонується в роботі, це неможливо, див. розділ з підручника по термічному відпалу про вимоги до підкладок (стінки пор не будуть покриті плівкою).

    Для доказу, що це плівка графіту, потрібно було представити раманівські спектри до і після відпалу поруватого InP (якщо після відпалу у раманівських спектрах будуть відсутні піки від InP, тоді можливо зробити висновок, що плівка графіту повністю огортає порувату поверхню), так само повинні бути представлені результати морфології поверхні та поперечного перерізу поруватої структури до та після відпалу, з яких можливо визначити отримання плівки графіту, яка огортає порувату поверхню. В додатку 3 наведені результати магістерської роботи, які свідчать про неможливість отримання плівки, яка огортає порувату поверхню, якщо плівка отримана методом відпалу, та магістрантом показано, як потрібно було провести дослідження.

    Використання ідей інших авторів, які запатентовані

    Під номером 26 у розділі «Праці, в яких опубліковані основні результати дисертації» розміщена статья: Сычикова Я. А. Ресурсо- и энергосберегающие технологии на основе наноструктурированного кремния (Альтернативная енергетика и екология. – №19 (183). – 2015. – С. 136–141), в якій автор пропонує виготовляти сонячні елементи з використанням поруватого кремнію, але ця технологія була запатентована в 2012 р., а публікація Сичіковой Я.О. вийшла у 2015 р.

    Хрипко С.Л. Патент на корисну модель. Спосіб отримання сонячних елементів на пористому кремнію. № U201206440 Заявка від 28.05.2012 / С.Л. Хрипко, В.В. Кідалов, В.О. Дем’яненко-Мамонова // Бюлетень. – №22 http://uapatents.com/8-85399-sposib-otrimannya-sonyachnikh-elementiv-na-poristomu-kremniyu.html.

    Схема виготовлення сонячних елементів, яка наведена у статті, а також зображена на рис. 2 у статті, запозичена з патенту рис. 11 (у статті на рис. 2 є помилки: немає поруватого шару, а наукова cтатя присвячена використанню поруватих шарів в сонячних елементах). Основні параметри сонячного елементу відсутні, як це зроблено в патенті та дисертації Хрипко С.Л. Представлена технологічна схема не відповідає схематичній структурі рис. 2 (а де шар SiN на рис. 2, про який вказано в технологічній цепочки, в тій же статті (нанесение антиотражающего слоя SiN (див. текст статті)).

    Тобто ця стаття не має новизни, автор не виготовляв сонячні елементи, технологічна схема має помилки, використані ідеї інших авторів, які запатентовані, посилання на патент відсутне. Експериментального зразка, навіть отриманого по запатентованій Хрипко С.Л. технології, немає.

    ТЕКСТ ДОКТОРСЬКОЇ НЕ ВІДПОВІДАЄ НАЗВІ ДОКТОРСЬКОЇ

    Назва докторської роботи пов’язана з властивостями наноструктур на поверхні напівпровідників, тобто докторант повинен розглянути якісно нові властивості (наприклад, поруватий кремній починає демонструвати ці властивості, коли діаметр пор становить 2–50 нм). Такі структури (квантово обмежені) в дисертації та нові властивості не розглянуті, тобто зміст роботи не відповідає назві (InP не враховуеться, це кандидатська). Назва роботи – наноструктури, тобто повинен бути наведений зразок наноструктур із новими властивостями, та надані їх властивості.

    Приклади, які рисунки не відповідають назві докторський наноструктури:

    Рис. 3.4 – Розмір блоків 100 мкм (100 000 нм), тобто розмір блоків перевіщує розмір наноструктур (50 нм) в 2×104 разів (приклад: оса Megaphragma mymaripenne (0.3 мм) та слон (3 м)).

    Рис. 3.22 – Середній розмір пор 0.2 мкм (200 нм) перевіщує розмір наноструктур, коли починають проявлятися якісно нові властивості, в 4 рази.

    Зробимо висновки.

    Результати докторської дисертації Cичікової Я.О. «Науково-методологічні засади оцінювання якості й властивостей наноструктур на поверхні напівпровідників», м’яко кажучі, сумнівні стосовно достовірності (фальсифікація, самоплагіат, фабрікація, використання ідей інших авторів, які запатентовані), не доказові, повторюють результати кандидатської «Морфологічні властивості наноструктур, сформованих на поверхні монокристалічного фосфіду індію методом електрохімічного травлення» (статті та патенти, опубліковані із співавторами Кідаловим В.В. та Сукачем Г.О., знову публікуються, але вже з іншими співавторами; деякі зображення морфології, які були опубліковані до захисту кандидатської, публікуються після захисту неодноразово). Сонячний елемент та суперконденсатор Сичікова не отримувала, результати вигадані без урахування законів фізики.

    Ані рецензенти, ані члени спеціалізованої вченої ради Д 64.827.01 дивним чином такого порушення Закону України щодо академічної доброчесності не помітили. Якщо вони дійсно читали цю роботу.

    Доктор фізико-математичних наук, професор Валерій Кідалов,

    зав. кафедри фізики та методики навчання фізики Бердянського державного педагогічного університету, заслужений діяч науки і техніки України

    Переглядів: 755 | Додав: OS | Рейтинг: 3.5/4
    Всього коментарів: 0
    avatar
    Copyright http://false-science.ucoz.ua/ © 2019
    Безкоштовний хостинг uCoz